0204355Integrated Circuit Technology
เทคโนโลยีวงจรรวม
สังกัดคณะวิทยาศาสตร์, ภาควิชาฟิสิกส์
หน่วยกิต3 (3-0-6)
สถานะรายวิชา:ใช้งาน  ข้อมูลเพิ่มเติมอื่นๆ
เงื่อนไขรายวิชา: 0204317 หรือ
0204341 หรือ
0204243 หรือ
0204242 หรือ
0204242(#)

Course Description
เทคโนโลยีการผลิตไอซ การปลูกผลึก การสร้างชั้นอิพิแทกซีในเฟสของไอ การสร้างชั้นอิพิแทกซีในเฟสของเหลว การสร้างชั้นอิพิแทกซีด้วยลำโมเลกุล การสร้างชั้นออกไซด์ด้วยความร้อน การแพร่ซึมในสภาพของแข็ง อิออน อิมพลานเตชัน การทำขั้วโลหะ การถ่ายแบบ
ฟิสิกส์สารกึ่งตัวนำ สภาพไม่สมดุล การฉีดพาหะ ทฤษฎีผิวของสารกึ่งตัวนำ คุณสมบัติของระบบซิลิกอน ซิลิกอนไดออกไซด์

Integrated circuit fabrication technologies: crystal growth, vapor phase epitaxy, liquid phase epitaxy, molecular beam epitaxy, thermal oxidation, solid-state diffusion, ion implantation, metallization, lithography; semiconductor physics:
non-equilibrium state, carrier injection, semiconductor surface theory, inversion layer in MOS structure, surface effect devices, properties of silicon-silicon dioxide system
 
    คำแนะนำ :
นายอภิชัย ชาญศิริรัตนา (diskko@hotmail.com) เว็ปไซด์กองทะเบียนและประมวลผล http://regpr.msu.ac.th
MSU-SERVER2-53